Az új Samsung microSD kártyák a mobil számítástechnika és az MI-eszközök új korszakát támogatják

A Samsung bemutatja az akár 800 megabájt/másodperc szekvenciális olvasási sebességű, 256 gigabájt¹ (GB) méretű SD Express² microSD kártyáját, amely a jelenlegi interfészhez képest négyszer gyorsabb sebességet kínál. A vállalat megkezdte az 1 terabájt³ (TB) méretű UHS-1 microSD kártya sorozatgyártását is, amely V-NAND technológiát használ. A Samsung célja, hogy a következő generációs microSD kártya termékcsaláddal egyedülálló memóriamegoldásokat kínáljon a jövő mobilalapú számítástechnikájához és az eszközön futó mesterségesintelligencia-alapú alkalmazásokhoz.

„A két új microSD kártyánkkal hatékony megoldásokat mutatunk be a mobilalapú számítástechnika és az eszközökön belüli mesterséges intelligencia növekvő elvárásainak teljesítésére – mondta Hangu Sohn, a Samsung memória üzletágának alelnöke. – Apró méretük ellenére ezek a memóriakártyák erőteljes, SSD-szerű teljesítményt és kapacitást kínálnak, így a felhasználók még többet hozhatnak ki a modern és jövőbeli alkalmazásaikból.”

A Samsung első SD Express microSD kártyája akár 800 MB/s maximális sebességgel
A Samsung az első olyan, nagy teljesítményű microSD kártyáját mutatja be, amely az SD Express interfészen alapul. A kisméretű Samsung SD Express microSD kártya – az alacsony fogyasztású kialakításnak és a nagy teljesítményre, valamint hőkezelésére optimalizált firmware-technológiának köszönhetően – szinte az SSD-kkel egyenértékű teljesítményt nyújthat. Míg az UHS-1 interfészen alapuló hagyományos microSD kártyák olvasási sebessége legfeljebb 104 MB/s-ig terjed, az SD Express esetében ez meghaladhatja a 985 MB/s-os értéket.

A Samsung SD Express microSD kártyájának szekvenciális olvasási sebessége elérheti a 800 MB/s-ot is, így 1,4-szer gyorsabb, mint a SATA SSD (560 MB/s), és négyszer gyorsabb a hagyományos UHS-1 memóriakártyáknál (200 MB/s), ezzel javítva a felhasználói élményt a számítástechnika terén, többek között az asztali számítógépek és a mobileszközök használatakor. A Dinamikus hőpajzs hosszú használat során is fenntarthatja az SD Express microSD kártya optimális hőmérsékletét, hogy a kisméretű eszköz teljesítménye stabil és megbízható maradjon.

1 TB méretű UHS-1 microSD kártya csúcstechnológiájú 1 Tb V-NAND memóriával
A Samsung új, 1TB méretű microSD kártyája a vállalat nyolcadik generációs, 1 terabites (Tb) V-NAND chipjének nyolc rétegét tartalmazza, így egy olyan nagykapacitású megoldást létrehozva, amely korábban csak az SSD-kben volt lehetséges. Az új 1TB-os microSD kártya megfelel az iparág legszigorúbb tesztelési előírásainak, megbízhatóan használható a kihívást jelentő környezetekben is, mivel az eszközt víz, extrém hőmérséklet, röntgensugárzás, kopás, leejtés, valamint mágnesesség elleni védelemmel látták el⁴.

Elérhetőség
Az 1 TB-os UHS-1 microSD kártya pedig előreláthatóan 2024 harmadik negyedévében kerül forgalomba, a 256GB méretű SD Express microSD kártya pedig várhatóan az év végén lesz megvásárolható.

1 1 gigabájt (GB) = 1 000 000 000 (milliárd) bájt. A ténylegesen kihasználható kapacitás eltérő lehet.
2 SD Express: Az új SD kártya interfész PCIE Gen 3x1-el (a 2019 februárban megjelent SD 7.1 specifikáció alapján). Az SD Express kártya elméleti átviteli sebessége 985 MB/s.
3 1TB=1 000 000 000 000 bájt. A ténylegesen kihasználható kapacitás eltérő lehet.
4 A Samsung nem vállal felelősséget a memóriakártya-adatok helyreállítása során keletkezett károkért és/vagy adatvesztésért vagy költségekért. A hat védelmi funkció csak az 1 TB-os UHS-1 microSD kártyára vonatkozik, a 256 GB-os SD Express microSD kártyára nem. Vízvédelem 1 méteres mélységig, sós vízben, 72 óráig. Hőmérséklettel szembeni ellenállóság: -25 °C és 85 °C között működőképes; ellenáll -40 °C és 85 °C közötti hőmérsékletnek. Egy nagy térerejű MRI-berendezéssel egyenértékű mágneses mező (akár 15 000 gauss). Akár 5 méterből történő leejtésig. Akár 10 000 csatlakozásig.